本发明公开一种基于真空间隙的低噪声光电探测器及其制备方法。由半导体pn结传感单元和场致发射真空间隙构成，在pn结的左端设置左端金属电极，在pn结的右端设置一个厚度很薄的真空间隙，在真空间隙的右端设置右端金属电极；在pn结的右端面设置纳米结构；在左端电极和右端电极之间设置偏置电源，并读取探测电流。本发明由于引入了绝缘性很高的真空间隙，所以可以极大地抑制暗电流和噪声电流。另外，本发明提出在pn结右端面设置金属或者半导体纳米结构，增强了真空间隙的场发射效应，提高了光电探测的响应度。