发明授权
- 专利标题： 利用热化学汽相淀积法在大尺寸基片上大规模合成垂直排列的高纯碳纳米管的方法
- 专利标题（英）： Method for synthetizing vertical arrangement high-purity carbon nanometer tube in large-scale on large size substrate using hot CVD method
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申请号： CN00107805.4申请日： 2000-06-12
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公开(公告)号： CN1189390C公开(公告)日： 2005-02-16
- 发明人: 李铁真 , 柳在银
- 申请人： 李铁真 , 株式会社日进纳米技术
- 申请人地址： 韩国全罗北道
- 专利权人： 李铁真,株式会社日进纳米技术
- 当前专利权人： 李铁真,株式会社日进纳米技术
- 当前专利权人地址： 韩国全罗北道
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 甘玲
- 优先权： 21855/1999 1999.06.11 KR; 22419/1999 1999.06.15 KR; 30352/2000 2000.06.02 KR
- 主分类号： C01B31/02
- IPC分类号： C01B31/02 ; C23C16/26
摘要：
一种利用热化学汽相淀积(CVD)在大尺寸基片上合成垂直排列的高纯碳纳米管的方法。该合成方法中，通过腐蚀在基片上形成隔离的纳米级催化金属颗粒，并通过利用碳源气的热CVD，由催化金属颗粒生长垂直排列的净化碳纳米管。
公开/授权文献
- CN1277145A 利用热CVD法在大尺寸基片上大规模合成垂直排列的高纯碳纳米管的方法 公开/授权日：2000-12-20
