发明公开
- 专利标题： 储镁电极材料、其制备方法及应用
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申请号： CN202411080083.X申请日： 2024-08-07
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公开(公告)号： CN118867193A公开(公告)日： 2024-10-29
- 发明人: 马黎春 , 靳博文 , 吴榆 , 李生廷 , 韩宏博 , 肖举 , 张晓英 , 周世豪 , 张港生 , 花逢林 , 李积仓 , 徐永杰 , 杨玉龙 , 邵明飞 , 段雪
- 申请人： 青海盐湖工业股份有限公司 , 北京化工大学
- 申请人地址： 青海省海西蒙古族藏族自治州格尔木市黄河路28号;
- 专利权人： 青海盐湖工业股份有限公司,北京化工大学
- 当前专利权人： 青海盐湖工业股份有限公司,北京化工大学
- 当前专利权人地址： 青海省海西蒙古族藏族自治州格尔木市黄河路28号;
- 代理机构： 北京康信知识产权代理有限责任公司
- 代理商 白雪
- 主分类号： H01M4/36
- IPC分类号： H01M4/36 ; H01M4/38 ; H01M4/48 ; H01M4/485 ; H01M10/054 ; H01M4/13 ; H01M4/134 ; H01M4/131
摘要：
本发明提供了一种储镁电极材料、其制备方法及应用。储镁电极材料包括钼基阳极和生长在钼基阳极表面的α/β混相MoO3纳米管阵列材料，钼基阳极的材料包括具有M元素掺杂的钼基合金，M元素包括Ti和Zr。本发明的储镁电极材料，包括钼基阳极和α/β混相MoO3纳米管阵列材料，其中，微量Ti/Zr掺杂的α‑MoO3/β‑MoO3纳米管阵列生长在钼基合金基底上，原位离子掺杂和α/β混相MoO3纳米管阵列材料一维有序纳米结构的构筑，有效提升了储镁电极材料的储镁能力；而且，金属(Ti/Zr)离子的引入，有利于构筑α/β混相MoO3和纳米管阵列结构；本发明储镁电极材料具有高容量、高导离子性和高稳定性。
