发明公开
- 专利标题： 超低吸氢平衡压的锆二钴基稳定氢同位素贮存合金及其制备和应用
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申请号： CN202410817629.9申请日： 2024-06-24
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公开(公告)号： CN118814020A公开(公告)日： 2024-10-22
- 发明人: 陈立新 , 刘洋 , 肖学章 , 杨志逸 , 毕嘉鹏
- 申请人： 浙江大学
- 申请人地址： 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
- 专利权人： 浙江大学
- 当前专利权人： 浙江大学
- 当前专利权人地址： 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
- 代理机构： 杭州天勤知识产权代理有限公司
- 代理商 高佳逸
- 主分类号： C22C16/00
- IPC分类号： C22C16/00 ; C22C27/00 ; C22C1/02 ; C01B3/00 ; C01B3/56
摘要：
本发明公开了一种超低吸氢平衡压的Zr2Co基稳定氢同位素贮存合金及其制备方法和在氢同位素回收领域中的应用。Zr2Co基稳定氢同位素贮存合金的化学通式为Zr2‑xHfxCo1‑y‑zFeyNiz，x、y、z均代表原子比，0
