本发明涉及光通信技术领域，提供了一种半导体探测器的制作方法，包括如下步骤：S1，于待生长的晶圆的背面制作硬质掩膜，所述硬质掩膜包括多层高频SiON膜层和多层低频SiON膜层，且所述高频SiON膜层和所述低频SiON膜层交替叠层设置；S2，刻蚀所述硬质掩膜，得到成型的微透镜硬质掩膜；S3，继续刻蚀所述微透镜硬质掩膜，以在所述晶圆的背面完成微透镜的制作。还提供一种半导体探测器。本发明采用的硬质掩膜SiON的内应力介于SiO2和Si3N4之间，应力适中，同时采用高低频交替生长的方式可以进一步降低硬质掩膜内应力，防止在外力刻蚀或粒子冲击过程中出现膜层脱落及破损现象。