本发明适用于设备测试的技术领域，提供了一种存储芯片的命令序列测试方法及装置，所述存储芯片的命令序列测试方法包括：获取预设测试命令序列，所述预设测试命令序列包括多个测试温度下对应的读写操作；分别执行多个所述测试温度下对应的读写操作，并采集读写异常信息；所述读写异常信息包括位翻转、读写错误和数据丢失根据所述读写异常信息、所述读写异常信息对应的读写操作次序，构建异常概率模型；根据所述异常概率模型预测存储芯片的使用寿命时长。本发明通过多维度的测试方法和准确的异常概率模型，能够更全面、更精确地评估存储芯片的使用寿命。