- 专利标题: 提高IGBT模块键合点位键合质量的框架结构及设计方法
-
申请号: CN202411019757.5申请日: 2024-07-29
-
公开(公告)号: CN118551504A公开(公告)日: 2024-08-27
- 发明人: 周雨 , 刘鹏飞 , 沈禹 , 殷季菁 , 李从斌 , 王轶 , 滕杨杨
- 申请人: 赛晶亚太半导体科技(浙江)有限公司
- 申请人地址: 浙江省嘉兴市嘉善县惠民街道晋吉路58号
- 专利权人: 赛晶亚太半导体科技(浙江)有限公司
- 当前专利权人: 赛晶亚太半导体科技(浙江)有限公司
- 当前专利权人地址: 浙江省嘉兴市嘉善县惠民街道晋吉路58号
- 代理机构: 北京力量专利代理事务所
- 代理商 毛雨田
- 主分类号: G06F30/17
- IPC分类号: G06F30/17 ; G06F30/20 ; H01L21/60 ; H01L21/603
摘要:
本发明涉及一种提高IGBT模块键合点位键合质量的框架结构及设计方法;包括如下步骤:将框架与底板组装,在底板上标记多个支撑点,各支撑点与框架上的各键合点位对应,以底板的左端为底板起始点,计算各支撑点处底板的形变,在框架下端面标记多个与键合点位对应的形变点,计算形变点处的形变,将获得的各框架弧度和上下对应的底板弧度进行差值运,获得多个间隙值;在框架的形变点增加与各键合点位一一对应的垫块,各垫块厚度等于对应位置的间隙值,或在垫板支撑点固接与对应位置间隙值相等厚度的垫块;将带有垫块的框架与底板组装和压紧后,获得框架结构,或将框架与带有垫块的底板组装和压紧后,获得框架结构,该框架结构有助于提高铝线键合质量。
公开/授权文献
- CN118551504B 提高IGBT模块键合点位键合质量的框架结构及设计方法 公开/授权日:2024-10-29