发明公开
- 专利标题: 一种超双疏块体绝缘材料及其制备方法
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申请号: CN202410738730.5申请日: 2024-06-07
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公开(公告)号: CN118471586A公开(公告)日: 2024-08-09
- 发明人: 李黎 , 侯天宇 , 张立雄 , 谢雨龙 , 罗康 , 代明成 , 徐祯雨 , 郭景润
- 申请人: 华中科技大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 专利权人: 华中科技大学
- 当前专利权人: 华中科技大学
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 代理机构: 华中科技大学专利中心
- 代理商 孙杨柳
- 主分类号: H01B3/18
- IPC分类号: H01B3/18 ; H01B3/40 ; H01B19/00
摘要:
本发明属于超双疏材料领域,公开了一种超双疏块体绝缘材料及其制备方法。该制备方案包括如下步骤:(1)按重量份将70~80份的有机硅改性环氧树脂、15~25份的SiO2超双疏颗粒、1~2份的固化剂的原料进行混合,抽真空、脱泡后倒入块状模具中;(2)将块状模具中的混合溶液置于气动式振动平台上振动,热压成型,冷却脱模后,制得超双疏块体绝缘材料。本发明将SiO2超双疏颗粒引入至块体绝缘材料的体系中,采用振动低压固化工艺减小孔隙缺陷影响,增强界面结合强度,提高块体绝缘材料的机械性能,相比于超双疏类涂层制备的块体复合材料,本发明的块体绝缘材料在经历表面外力等因素破坏下仍能保持超双疏性。