本发明公开了一种用于真空断路器弧后鞘层恢复过程的求解方法及系统，属于真空断路器弧后等离子体分析技术领域。本发明方法，包括：建立求解表面电场强度和功率密度的求解模型；针对真空断路器，确定所述真空断路器弧后的电流初始值，将所述电流初始值，带入所述剩余等离子体密度径向分布函数，进行求解，确定剩余等离子体密度径向分布；基于所述剩余等离子体密度径向分布，求解二维连续过渡模型，以得到弧后鞘层生长过程曲线；基于所述弧后鞘层生长过程曲线，对所述求解模型进行求解，以对真空断路器弧后鞘层恢复过程进行求解。本发明求解模型较为简单，采用了数值方法求解，降低了计算机资源消耗，提高了弧后过程仿真模拟的运算速度。