本发明提供半导电涂层用MXene/铜纳米线复合材料及其制备方法，涉及半导电涂层技术领域。复合材料主要由铜纳米线稳定溶液、MXene胶体溶液以及界面粘接相溶液制备而成，其中，MXene纳米片以相同的取向逐层排列，铜纳米线穿插分布在MXene纳米片片层之间，MXene纳米片与铜纳米线相互交错排列；复合材料的制备方法包括：S1.配置铜纳米线稳定溶液；S2.配置MXene胶体溶液；S3.配置界面粘接相溶液；S4.将铜纳米线溶液、界面粘接相溶液和MXene胶体溶液进行混合，得到分散均匀的MXene/铜纳米线混合溶液；S5.将MXene/铜纳米线混合溶液通过真空辅助抽滤收集，并进行真空干燥，得到MXene/铜纳米线复合材料。将MXene/铜纳米线复合材料应用于电子器件中，可有效改善绝缘介质非线性导致的电场不均匀分布。