Invention Publication
- Patent Title: 一种晶硅异质结太阳能电池结构、其制备方法及太阳能电池
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Application No.: CN202211711723.3Application Date: 2022-12-29
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Publication No.: CN118281101APublication Date: 2024-07-02
- Inventor: 陈弘 , 郝斌 , 贾海强 , 杜春花
- Applicant: 中国科学院物理研究所
- Applicant Address: 北京市海淀区中关村南三街8号
- Assignee: 中国科学院物理研究所
- Current Assignee: 中国科学院物理研究所
- Current Assignee Address: 北京市海淀区中关村南三街8号
- Agency: 北京市英智伟诚知识产权代理事务所
- Agent 刘丹妮
- Main IPC: H01L31/0745
- IPC: H01L31/0745 ; H01L31/0312 ; H01L31/0368 ; H01L31/18

Abstract:
本发明提供了一种晶硅异质结太阳能电池结构、其制备方法及太阳能电池。所述晶硅异质结太阳能电池结构包括金属电极、N型重掺杂层、N型掺杂层、本征钝化层、N型单晶硅片、P型掺杂层和P型重掺杂层。相比现有技术,本发明利用磁控溅射工艺沉积宽带隙、高电导、高质量的多晶碳化硅材料,它既可以作为掺杂功能层实现载流子的抽取,又可以作为导电电极替代透明导电氧化物与大面积金属栅线的使用。本发明优化了晶硅异质结电池结构,简化了制备流程,有利于实现电池的降本增效和产业化应用。
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