发明授权
- 专利标题: 一种电阻型纳米结构氢气传感器的制备方法
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申请号: CN202410693340.0申请日: 2024-05-31
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公开(公告)号: CN118275507B公开(公告)日: 2024-10-18
- 发明人: 周建民 , 扈映茹 , 冯贻罄 , 凌洁 , 虞明澍 , 彭艳
- 申请人: 成都纺织高等专科学校
- 申请人地址: 四川省成都市犀浦泰山南街186号
- 专利权人: 成都纺织高等专科学校
- 当前专利权人: 成都纺织高等专科学校
- 当前专利权人地址: 四川省成都市犀浦泰山南街186号
- 代理机构: 成都睿道专利代理事务所
- 代理商 蒋珊珊
- 主分类号: G01N27/12
- IPC分类号: G01N27/12 ; C23C14/20 ; C23C14/35 ; B82Y15/00 ; B82Y40/00
摘要:
本发明提供了一种电阻型纳米结构氢气传感器的制备方法,涉及传感器的制备技术领域。一种电阻型纳米结构氢气传感器的制备方法,包括以下步骤:S1、在衬底表面涂布聚酰亚胺形成聚酰亚胺薄膜;S2、采用纳米压印技术在聚酰亚胺薄膜表面诱导出阵列式纳米凹槽结构;S3、利用磁控溅射设备在具有纳米凸起的聚酰亚胺薄膜表面溅射Pd纳米薄膜;S4、在镀好Pd纳米薄膜的衬底样品的两端制备金属电极,得到电阻型纳米结构氢气传感器。其能够提升单位面积钯薄膜的比表面积,提高传感器的响应时间和探测范围,使得氢气传感器具有较好的灵敏度。
公开/授权文献
- CN118275507A 一种电阻型纳米结构氢气传感器的制备方法 公开/授权日:2024-07-02