本发明涉及射频开关芯片结构设计技术领域，具体地说，涉及一种单通道射频开关芯片电路结构、版图结构及高频隔离度优化方法；该方法首先对单通道射频开关芯片的电路结构进行设计，通过设置只包括输入端口和输出端口两个端口的单通道射频开关芯片，并将晶体管的栅极连接到输入端口，并用隔直电容C将晶体管栅极和源极隔开，实现了既能通过输入端口供电，又不会造成输入输出短路的效果，并解决了供电问题；然后对版图结构进行设计，通过调整高频隔离度影响要素，即通过调整金属保护环断口数量、金属互连线端口距离、金属互连线线宽中的一种或多种，直至达到设定的高频隔离度值，实现了在保证插损不恶化的同时，提高了射频开关芯片高频隔离度和插损。