发明公开
- 专利标题: 一种压电陶瓷及其制备方法和应用
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申请号: CN202310115095.0申请日: 2022-09-30
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公开(公告)号: CN117800723A公开(公告)日: 2024-04-02
- 发明人: 请求不公布姓名
- 申请人: 成都理想境界科技有限公司
- 申请人地址: 四川省成都市高新区世纪城路1129号天府软件园A区8栋1层
- 专利权人: 成都理想境界科技有限公司
- 当前专利权人: 成都理想境界科技有限公司
- 当前专利权人地址: 四川省成都市高新区世纪城路1129号天府软件园A区8栋1层
- 主分类号: C04B35/495
- IPC分类号: C04B35/495 ; C04B35/622 ; C04B41/88 ; G02B26/10
摘要:
一种压电陶瓷及其制备方法和应用,其主要涉及压电陶瓷领域。本发明实施例提供的压电陶瓷制备方法通过将K0.48Na0.52Nb0.949Li0.001Sb0.05O3、Bi0.5(K0.15Na0.85)0.5Zr0.15Hf0.85O3及Cu2Ta4O12进行合理的配置,使得本申请所提供的KNNLS‑BKNZH‑x%molCTO压电陶瓷在制备过程中,可以同时实现降低烧结温度,拓宽烧结温区,提高压电陶瓷致密度、工艺稳定性和机械品质因数,以及降低介电损耗的技术效果,进而使得工艺量产稳定性和产品应用效果俱佳,因此,本发明实施例提供的压电陶瓷及其制备方法具有重要的工业量产应用价值。
IPC分类: