Invention Publication
- Patent Title: 一种基于人工磁导体和谐振隔离网的低剖面双频双极化天线阵列混合去耦结构
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Application No.: CN202311852125.2Application Date: 2023-12-29
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Publication No.: CN117791141APublication Date: 2024-03-29
- Inventor: 翟会清 , 李沛儒 , 杨莹莹 , 牛鲁杰 , 张欢 , 白杰
- Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院 , 西安电子科技大学
- Applicant Address: 浙江省杭州市萧山经济技术开发区钱农东路8号;
- Assignee: 西安电子科技大学杭州研究院,西安电子科技大学
- Current Assignee: 西安电子科技大学杭州研究院,西安电子科技大学
- Current Assignee Address: 浙江省杭州市萧山经济技术开发区钱农东路8号;
- Agency: 西安智大知识产权代理事务所
- Agent 任芳
- Main IPC: H01Q1/52
- IPC: H01Q1/52 ; H01Q1/48 ; H01Q21/00 ; H01Q1/50 ; H01Q1/38

Abstract:
一种基于人工磁导体和谐振隔离网的低剖面双频双极化天线阵列混合去耦结构,包括双频AMC结构,所述双频AMC结构上方中心处设置有谐振隔离网,位于谐振隔离网的两侧、且双频AMC结构上方对角线分布有与水平方向呈斜45°的两个天线单元;本发明以双频AMC结构代替传统金属地板,并在天线单元间加载体积、厚度、高度较小的谐振隔离网,降低剖面的同时达到良好的同频去耦效果。其中,双频AMC结构不仅可以降低天线剖面,还能抑制E面耦合,加载谐振隔离网,可以同时抑制E面和H面耦合。
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