发明公开
- 专利标题: 一种镁合金NMT处理方法
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申请号: CN202311769045.0申请日: 2023-12-21
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公开(公告)号: CN117621362A公开(公告)日: 2024-03-01
- 发明人: 胡朝溯
- 申请人: 重庆景裕电子科技有限公司
- 申请人地址: 重庆市潼南区工业园区东区C-09-01/01地块2号子地块
- 专利权人: 重庆景裕电子科技有限公司
- 当前专利权人: 重庆景裕电子科技有限公司
- 当前专利权人地址: 重庆市潼南区工业园区东区C-09-01/01地块2号子地块
- 代理机构: 北京德邻共创知识产权代理有限公司
- 代理商 刘翔
- 优先权: 202211647074.5 2022.12.21 CN
- 主分类号: B29C45/14
- IPC分类号: B29C45/14
摘要:
本发明适用于镁合金NMT技术领域,提供了一种镁合金NMT处理方法,包括以下步骤:S1,脱脂;S2,预扩孔;S3,第一次表调;S4,扩孔;S5,第二次表调;S6,第三次表调;S7,环膜;S8,环膜微孔;S9,烘烤。本发明通过对镁合金进行一系列的表面处理,所得产品经过SEM扫描,NMT处理后的镁合金样品表面形成了许多纳米级孔洞,纳米级孔洞粒径40‑500nm,纳米级(40~100nm)的孔洞,树脂可完全渗入孔洞,产生液体与气体均无法通过的气密性;同时,(100nm~500nm)的微米结构有助于注塑成型排气,以及增加抓胶强度及降低阳极吐酸不良率,并且减少射出成型后因胶粒缩水率所造成的开胶。