本发明涉及半导体技术领域，公开了用于硅片表面的图案化架构方法。本发明通过将附着材料设置在硅片基底非沉积区域形成涂层，然后通过调节原子层沉积的温度，使之不低于300℃进行Al2O3薄膜沉积，使得Al2O3薄膜沉积在非沉积区域以外的区域，实现Al2O3薄膜的选择性沉积，在硅片表面图案化架构Al2O3薄膜，并在沉积过程中促使硅片基底非沉积区域上的附着材料与硅片分离，Al2O3薄膜沉积后涂层易去除。本发明提供的选择性沉积方法在特定区域沉积得到的Al2O3薄膜，均匀性良好。在微电子器件制造中，不同部分需要不同的材料或薄膜来实现特定的功能，本发明提供的区域选择性沉积方法可以实现这些功能性要求。