- 专利标题: 半导体级多晶硅大口径厚壁EP管道洁净焊接控制方法
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申请号: CN202311473663.0申请日: 2023-11-06
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公开(公告)号: CN117428295B公开(公告)日: 2024-05-24
- 发明人: 崔凯彬 , 张辉 , 王华初 , 冶家乐 , 曾霸 , 阿尔山
- 申请人: 中国化学工程第六建设有限公司
- 申请人地址: 湖北省襄阳市东津新区南山路1号
- 专利权人: 中国化学工程第六建设有限公司
- 当前专利权人: 中国化学工程第六建设有限公司
- 当前专利权人地址: 湖北省襄阳市东津新区南山路1号
- 代理机构: 北京远大卓悦知识产权代理有限公司
- 代理商 王莹
- 主分类号: B23K9/16
- IPC分类号: B23K9/16 ; B23K9/235 ; B23K9/32 ; B23K31/12 ; B23K101/06
摘要:
本发明公开了一种半导体级多晶硅大口径厚壁EP管道洁净焊接控制方法,包括对焊接环境洁净度控制和对焊接工艺的控制,对焊接环境洁净度控制包括:一是焊接、物料存储均在10000级以上无尘环境即洁净棚中进行;二是预制焊接厂房保持密封性;三是设置通风和排气系统;对焊接工艺的控制包括:一是对管道切割下料控制;二是对管道组对过程控制;三是对焊接过程控制;焊接完成后对焊接产品进行检验至合格满足设计要求。本发明通过材料的选用、机具设备、施焊条件、施焊工艺过程等有效控制管道洁净度,确保了工程质量,生产出高纯度产品。
公开/授权文献
- CN117428295A 半导体级多晶硅大口径厚壁EP管道洁净焊接控制方法 公开/授权日:2024-01-23
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