本发明公开了一种氧化限制型VCSEL制造方法，包括：在外延片上刻蚀闭合沟槽以在闭合沟槽环绕区域形成主动区平台的刻蚀步骤，以及对主动区平台进行侧壁氧化以在主动区平台中形成氧化限制结构的氧化步骤；闭合沟槽的内圈侧壁与沟槽底面垂直，闭合沟槽的外圈侧壁为与沟槽底面成35°～75°夹角的斜面，闭合沟槽的宽度从沟槽底面向上逐渐增大；在刻蚀与氧化步骤之间还包括两次等离子体表面处理，第一次等离子体表面处理以惰性气体作为工作介质，第二次等离子体表面处理以NF3和/或H2作为工作介质。本发明还公开了一种氧化限制型VCSEL。本发明可有效消除主动区平台侧壁上的低饱和蒸汽压物质、表面缺陷以及非化学计量比物质，提高激光器的性能和可靠性。