发明公开
CN1173107A 离子注入器中产生离子的方法和装置
失效 - 权利终止
- 专利标题： 离子注入器中产生离子的方法和装置
- 专利标题（英）： Method and apparatus for ion formation in ion implanter
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申请号： CN97114806.6申请日： 1997-05-30
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公开(公告)号： CN1173107A公开(公告)日： 1998-02-11
- 发明人: V·M·本维尼斯特 , M·P·克里斯托弗罗
- 申请人： 易通公司
- 申请人地址： 美国俄亥俄州
- 专利权人： 易通公司
- 当前专利权人： 艾克塞利斯技术公司
- 当前专利权人地址： 美国俄亥俄州
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 黄力行
- 优先权： 655,448 1996.05.30 US
- 主分类号： H05H1/24
- IPC分类号： H05H1/24
摘要：
包含在本发明中的离子源(12)是用于离子注入器中。离子源(12)包括一个气体密封室(18),该密封室具有限定了一个气体电离区域(120)的导电室壁(112,114,116)。气体密封室(18)设有一个使离子射出室外的出口孔(126)。支架(15)固定与装置(13)相对的气体密封室(18),装置(13)使射出气体密封室的离子形成离子束。电离材料的供给源把材料送到气体密封室(18)中。固定在支架上的天线(130)具有金属射频导电部(132),该导电部直接安装在气体密封室(18)中,给气体电离区域(120)提供电离的能量。
公开/授权文献
- CN1166263C 用于离子注入器的离子源和在离子注入器产生离子的方法 公开/授权日：2004-09-08
IPC分类:
