本发明提供了一种半导体碳化硅加工方法，包括以下步骤：S1：将原材料依次通过切割毛胚、铣磨粗加工工艺预先处理，使达到符合尺寸要求的半成品；S2：基于图纸的公差要求和表面粗糙度的要求，针对半成品利用精雕机进行一次机加工，并检测加工后成品的精度；S3：对符合精度的成品依次经过粗磨、精磨、抛光、清洗的方式进行二次加工；S4：检验二次加工后的成品，并将符合标准的成品进行封装处理。本发明在市场上针对碳化硅晶圆加工中，能够对碳化硅的异型件进行生产。