发明公开
- 专利标题: 一种LiCoO2薄膜电极的残余应力的测试方法
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申请号: CN202311100608.7申请日: 2023-08-30
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公开(公告)号: CN117129127A公开(公告)日: 2023-11-28
- 发明人: 马衍伟 , 马一博 , 王凯
- 申请人: 中国科学院电工研究所
- 申请人地址: 北京市海淀区中关村北二条6号
- 专利权人: 中国科学院电工研究所
- 当前专利权人: 中国科学院电工研究所
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区中关村北二条6号
- 代理机构: 北京高沃律师事务所
- 代理商 刘奇
- 主分类号: G01L5/00
- IPC分类号: G01L5/00 ; G01L1/25
摘要:
本发明属于电极材料技术领域,具体涉及一种LiCoO2薄膜电极的残余应力的测试方法。本发明提供了一种LiCoO2薄膜电极的残余应力的测试方法,包括以下步骤:将LiCoO2薄膜电极固定在X射线衍射仪的测试平台上,在设定的倾斜角ψ下,利用X射线衍射仪测试LiCoO2薄膜电极的(003)特征峰的衍射角θ,根据布拉格方程计算得到晶面间距dφψ;将所述晶面间距dφψ和倾斜角ψ根据公式1计算得到残余应力σ。本发明提供的测试方法能够进一步提高薄膜电极残余应力测试值的准确度。