发明授权
- 专利标题: 一种用于制备大孔径碳化硅粉料的坩埚结构
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申请号: CN202311390727.0申请日: 2023-10-25
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公开(公告)号: CN117109301B公开(公告)日: 2023-12-22
- 发明人: 王毅 , 王殿 , 郭立梅 , 李林高 , 王飞龙 , 靳丽岩 , 王宏杰
- 申请人: 山西第三代半导体技术创新中心有限公司
- 申请人地址: 山西省太原市万柏林区千峰街道和平南路115号中国电子科技集团公司第二研究所院内1号楼406室
- 专利权人: 山西第三代半导体技术创新中心有限公司
- 当前专利权人: 山西第三代半导体技术创新中心有限公司
- 当前专利权人地址: 山西省太原市万柏林区千峰街道和平南路115号中国电子科技集团公司第二研究所院内1号楼406室
- 代理机构: 太原景誉专利代理事务所
- 代理商 王博飞
- 主分类号: F27B14/10
- IPC分类号: F27B14/10 ; C01B32/956
摘要:
本发明公开了一种用于制备大孔径碳化硅粉料的坩埚结构,具体涉及大孔径碳化硅粉料制备技术领域,包括旋转联动转盘,所述旋转联动转盘的顶端呈圆环贯穿开设有多个导向倾斜孔位,所述导向倾斜孔位内部滑动连接有导向推动杆,所述导向推动杆的顶端设有联动嵌入加热机构。本发明采用联动嵌入加热机构使减速驱动电机对驱动转杆起到旋转作用,多个导向推动杆向第一坩埚插接环的圆心点位置处靠近,多个第一加热棒插入到大孔径碳化硅粉料制备原料内部位置形成多点位嵌入加热,多层上下堆叠而成,大大增加了粉料容量,合成效率,并且根据第一温度传感器精确加热到指定温度数值,加热大孔径碳化硅粉料均匀性更好。
公开/授权文献
- CN117109301A 一种用于制备大孔径碳化硅粉料的坩埚结构 公开/授权日:2023-11-24