本发明公开了一种伪电阻及其实现方法、交流耦合仪表放大器，其中，伪电阻包括第一端口、第二端口、第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，第二晶体管的栅极连接第一晶体管的衬底和第三晶体管的衬底，第二晶体管的衬底连接第一晶体管的栅极和第三晶体管的栅极，第一端口连接第一晶体管的源极，第一晶体管的漏级连接第二晶体管的源极，第二晶体管的漏级连接第三晶体管的漏级，第三晶体管的源极连接第二端口，第一晶体管和第三晶体管为PMOS管，第二晶体管为NMOS管。本发明实施例通过NMOS管与PMOS管的互补特征，能够提高伪电阻在两端低电压情况下的电阻值，可广泛应用于模拟集成电路技术领域。