本发明公开了一种碳化硅二极管及其制造方法，包括外壳，所述外壳内置有碳化硅芯片，所述碳化硅芯片包括碳化硅衬底、外延层、阴极金属、阳极金属与绝缘层，所述碳化硅衬底底部连接阴极金属，碳化硅衬底顶部连接外延层，所述外延层上预留有沟槽；所述阳极金属与第一导电引脚连接，所述阴极金属与第二导电引脚连接；所述第一导电引脚上设置有活动连通块和绝缘槽，本发明通过在碳化硅芯片中设置加速层，改变外延层的带隙和电子迁移率，可以实现更好的电子传输性能和更低的电阻，解决了热量积累会导致温度升高，温度过高会增加碳化硅二极管的功耗的问题。