Invention Publication
- Patent Title: 一种像素结构、光电二极管和CMOS图像传感器
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Application No.: CN202310946815.8Application Date: 2023-07-28
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Publication No.: CN117038686APublication Date: 2023-11-10
- Inventor: 刘京京 , 李志鹏
- Applicant: 中山大学
- Applicant Address: 广东省广州市海珠区新港西路135号
- Assignee: 中山大学
- Current Assignee: 中山大学
- Current Assignee Address: 广东省广州市海珠区新港西路135号
- Agency: 广州嘉权专利商标事务所有限公司
- Agent 梁嘉琦
- Main IPC: H01L27/146
- IPC: H01L27/146 ; H04N25/76

Abstract:
本发明公开了一种像素结构、光电二极管和CMOS图像传感器。像素结构上包括双光电二极管和用于复位、开关、行选择和源跟随器的MOS晶体管。本发明在电路结构上采用了双光电二极管设计,实现了像素结构同时工作在能量收集和成像模式的效果,提高了CMOS图像传感器的能量收集能力,降低了CMOS图像传感器的功耗。本发明一种像素结构、光电二极管和CMOS图像传感器在版图结构上采用垂直堆叠设计的双光电二极管,不需要占用额外的面积,有利于提高填充因子,同时为像素结构外的电路设计提供了更多的自由空间。
Public/Granted literature
- CN117038686B 一种像素结构、光电二极管和CMOS图像传感器 Public/Granted day:2024-04-16
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