本发明公开了一种碳化硅外延旧载盘的再生处理方法，包括以下步骤：S1、在碳化硅外延旧载盘中放入挡片；S2、将放入挡片的载盘放入反应室中进行烘烤；S3、烘烤结束后，关闭N2源，通入H2和C/Si原子比＞1的Si源和C源，在载盘上沉积非平衡态多晶碳化硅涂层；S4、沉积完成后，关闭源气，降低温度；S5、将载盘从反应室中取出，移除挡片，即可得到再生处理后的载盘；该方法不会损伤载盘的基材，且可以改善碳化硅外延片浓度的均匀性和连续生长浓度的一致性，同时可以提升载盘的使用寿命，降低碳化硅外延成本。