发明公开
- 专利标题: 锰掺杂硫化镉/钴酸铜中空双壳层纳米球复合材料及其制备方法与应用
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申请号: CN202310903348.0申请日: 2023-07-22
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公开(公告)号: CN116899591A公开(公告)日: 2023-10-20
- 发明人: 韩吉姝 , 彭佳茹 , 纪亭亭 , 刘倩 , 赵瑞阳 , 王磊
- 申请人: 青岛科技大学
- 申请人地址: 山东省青岛市崂山区松岭路99号
- 专利权人: 青岛科技大学
- 当前专利权人: 青岛科技大学
- 当前专利权人地址: 山东省青岛市崂山区松岭路99号
- 主分类号: B01J27/043
- IPC分类号: B01J27/043 ; B01J35/08 ; C01B3/04
摘要:
本发明提供一种锰掺杂硫化镉/钴酸铜中空双壳层纳米球复合材料及其制备方法,及其在光催化制氢方面的应用。所述锰掺杂硫化镉/钴酸铜的制备方法包括以下步骤:(1)通过溶剂热反应得到CuCo‑甘油酸前驱体;(2)通过在空气气氛中煅烧得到钴酸铜中空双壳层纳米球;(3)通过水热反应得到锰掺杂硫化镉固溶体;(4)将锰掺杂硫化镉固溶体修饰于钴酸铜表面得到锰掺杂硫化镉/钴酸铜中空双壳层纳米球复合材料。另外,将本发明制备得到的锰掺杂硫化镉/钴酸铜中空双壳层纳米球复合材料作为光催化剂,其制氢效果显著提高,5小时的光催化制氢量可以达到131.06mmol·g‑1,并且该材料具有良好的循环稳定性。