- 专利标题: 一种抗偏置减落的贫铁锰锌铁氧体材料及其制备方法
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申请号: CN202310984451.2申请日: 2023-08-07
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公开(公告)号: CN116891378B公开(公告)日: 2024-09-27
- 发明人: 郭皓 , 谭福清 , 黄爱萍 , 姚木有
- 申请人: 广东肇庆微硕电子有限公司 , 湖北微硕新材料有限公司 , 五邑大学
- 申请人地址: 广东省肇庆市郊马头岗前村工业园(星湖大道南); ;
- 专利权人: 广东肇庆微硕电子有限公司,湖北微硕新材料有限公司,五邑大学
- 当前专利权人: 广东肇庆微硕电子有限公司,湖北微硕新材料有限公司,五邑大学
- 当前专利权人地址: 广东省肇庆市郊马头岗前村工业园(星湖大道南); ;
- 代理机构: 武汉经世知识产权代理事务所
- 代理商 张诗颖
- 主分类号: C04B35/38
- IPC分类号: C04B35/38 ; H01F1/34 ; C04B35/622
摘要:
本发明涉及一种抗偏置减落的贫铁锰锌铁氧体材料及其制备方法,所述铁氧体材料包括主成分和辅助成分,所述主成分为48~49mol%的Fe2O3、以MnO计44~50mol%的Mn3O4和2~7mol%的ZnO;以及所述辅助成分为,基于所述主成分的总重量以Co计x wt%的钴氧化物,其中x的取值范围为主成分中MnO的mol%数值除以(35±4)。本发明所述抗偏置减落的贫铁锰锌铁氧体材料可以有效降低抗EMI磁心因偏置导致的电感跌落。
公开/授权文献
- CN116891378A 一种抗偏置减落的贫铁锰锌铁氧体材料及其制备方法 公开/授权日:2023-10-17
IPC分类: