发明公开
- 专利标题: 一种制备厘米级大面积无裂纹超厚铜纳米超晶格的方法
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申请号: CN202310907585.4申请日: 2023-07-24
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公开(公告)号: CN116891345A公开(公告)日: 2023-10-17
- 发明人: 张盼盼 , 李俊柯 , 黄英 , 卢兴
- 申请人: 华中科技大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 专利权人: 华中科技大学
- 当前专利权人: 华中科技大学
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 代理机构: 武汉大智汇聚专利代理事务所
- 代理商 李秀丽
- 主分类号: C03C17/06
- IPC分类号: C03C17/06 ; C03C17/10 ; C25D3/38 ; C25D5/54
摘要:
本发明公开了一种制备厘米级大面积无裂纹超厚铜纳米超晶格的方法,在圆底烧瓶中以氮气为载气置换反应器中氧气,加入AIBA与去离子水,以PDDA以及AIBA分别作为稳定剂以及引发剂,进行PS球的合成;依次进行超声清洗,随后浸泡在食人鱼溶液中,PS分散液中加入一定体积的甘油减缓模板顶部水分散失造成的开裂;将处理后的基材浸入PS分散液中下进行模板自组装;将组装结束的湿润模板转移至电沉积浴中,沉积结束后置于甲苯中蚀刻湿润模板以完全去除PS球,得到无裂纹超厚铜纳米超晶格。本发明在制备带正电荷的PS球以解决分层问题,逆转静电力,得到无裂纹的铜纳米超晶格;得到沿光刻图案生长的铜纳米超晶格,为后续储能器件厚电极材料提供良好的模板。