本发明涉及一种插层‑剥离勃姆石制备二维纳米片的方法，具有大孔容高比表面积的二维勃姆石技术领域，提供了一种低成本合成兼具大孔容高比表面积的二维勃姆石纳米片的方法。本发明以无机小分子对勃姆石进行插层，并削弱层间作用力，从而剥离出二维勃姆石纳米片层。所得纳米片增加了勃姆石的比表面积，而纳米片组装形成的孔道提升了勃姆石的孔体积。本发明提供的制备方法具有合成成本低、操作简单、采用工业原料合成、不使用任何有机模板剂、适合工业化生产等优势；本发明制备的二维勃姆石纳米片孔容高达2.43cm3/g，比表面积高达542.3m2/g，由长度超过20nm厚度约为2nm的二维纳米片组装而成。孔结构远高于已报道和已工业应用的同类勃姆石或氧化铝材料。