发明公开
- 专利标题: 一种基于贵金属纳米网布的电场辅助氧化池中3-氰基吡啶N氧化物合成方法
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申请号: CN202310722962.7申请日: 2023-06-19
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公开(公告)号: CN116815206A公开(公告)日: 2023-09-29
- 发明人: 郭建军 , 胡涌刚 , 胡茂华 , 吴天兆 , 李明明
- 申请人: 湖北进创博生物科技有限公司
- 申请人地址: 湖北省黄冈市武穴市田镇办事处马口医药化工产业园
- 专利权人: 湖北进创博生物科技有限公司
- 当前专利权人: 湖北进创博生物科技有限公司
- 当前专利权人地址: 湖北省黄冈市武穴市田镇办事处马口医药化工产业园
- 代理机构: 北京中普鸿儒知识产权代理有限公司
- 代理商 韩明
- 主分类号: C25B3/09
- IPC分类号: C25B3/09 ; C25B3/05 ; C25B3/23 ; C25B11/093 ; C25B11/054 ; C25B11/056 ; C07D213/80 ; C07D213/803
摘要:
本发明一种基于贵金属纳米网布的电场辅助氧化池中3‑氰基吡啶N氧化物合成方法,其特征在于,包括如下步骤:构建辅助电场,将铜棒或铜板作为负极,贵金属纳米网布作为正极;构建氧化池,在氧化池中内壁两端分别固定位置设置所述铜棒或铜板和所述贵金属纳米网布;将3‑氰基吡啶的溶液倒入氧化池中,开关装置设为打开状态,并向贵金属纳米网布一极输入双氧水,并逐步加大可变电压电源的输出电压,加大电场强度到第一预设值,然后再保持预定时间,之后再次逐步加大场强至第二预设值保持,直到气压显示装置显示压强趋稳时逐步减小电场,直至所述断开状态。增加了催化表面积提高了反应的效率,以及增加了产率、便于直接从氧化池中导出进行下一步水解酸化合成2‑氯烟酸。