- 专利标题: 一种凹叶红豆快速繁殖培养基及其应用和凹叶红豆快速繁殖培养方法
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申请号: CN202310751015.0申请日: 2023-06-25
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公开(公告)号: CN116762697B公开(公告)日: 2024-07-12
- 发明人: 唐健民 , 冼康华 , 邹蓉 , 秦惠珍 , 韦霄 , 罗亚进
- 申请人: 广西壮族自治区中国科学院广西植物研究所
- 申请人地址: 广西壮族自治区桂林市雁山区雁山街85号
- 专利权人: 广西壮族自治区中国科学院广西植物研究所
- 当前专利权人: 广西壮族自治区中国科学院广西植物研究所
- 当前专利权人地址: 广西壮族自治区桂林市雁山区雁山街85号
- 代理机构: 北京高沃律师事务所
- 代理商 吴波
- 主分类号: A01H4/00
- IPC分类号: A01H4/00
摘要:
本发明提供了一种凹叶红豆快速繁殖培养基及其应用和凹叶红豆快速繁殖培养方法,属于植物组织培养技术领域。本发明提供了一种凹叶红豆快速繁殖培养基,包括初代诱导培养基、继代增殖培养基和生根培养基。本发明提供的凹叶红豆快速繁殖培养基对凹叶红豆外植体进行培养,培养得到的凹叶红豆芽苗生长均匀,植株健壮,增殖系数稳定,能够在短时间内得到大量优良种苗,为凹叶红豆的可持续利用和规模化种植奠定基础。本发明提供的凹叶红豆快速繁殖培养基为凹叶红豆的快速繁殖、种质资源保护和利用提供技术参考。
公开/授权文献
- CN116762697A 一种凹叶红豆快速繁殖培养基及其应用和凹叶红豆快速繁殖培养方法 公开/授权日:2023-09-19