本发明提供了一种生长高质量碳化硅晶体的装置、方法，涉及碳化硅晶体生长领域，该装置包括坩埚、保温层、感应线圈及感应发热环，坩埚的顶部设置有籽晶，保温层设置于坩埚的外侧，感应线圈围绕保温层设置，感应发热环设置于保温层内且围绕籽晶设置，感应发热环的内壁与坩埚的外壁间隔设置且被保温层阻隔。该装置及配套的方法通过在坩埚的顶部位置增设感应发热环，可以改变感应线圈通电时坩埚顶部位置的磁场，使得坩埚顶部位置产生的热量减少，温度降低，从而增大坩埚轴向上的温度梯度，提高碳化硅晶体的生长速率，同时减小坩埚径向上的温度梯度，提高碳化硅晶体的生长质量。