Invention Publication
- Patent Title: 目标同面阵列电容传感器的信号质量评估方法及系统
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Application No.: CN202310217574.3Application Date: 2023-03-08
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Publication No.: CN116299123APublication Date: 2023-06-23
- Inventor: 安东阳 , 张玉燕 , 李瑞航 , 温银堂 , 刘泽良 , 唐增武
- Applicant: 北京星航机电装备有限公司 , 燕山大学
- Applicant Address: 北京市丰台区云岗东王佐北路9号;
- Assignee: 北京星航机电装备有限公司,燕山大学
- Current Assignee: 北京星航机电装备有限公司,燕山大学
- Current Assignee Address: 北京市丰台区云岗东王佐北路9号;
- Agency: 北京天达知识产权代理事务所有限公司
- Agent 庞许倩
- Main IPC: G01R35/00
- IPC: G01R35/00 ; G01N27/22

Abstract:
本发明涉及一种同面阵列电容传感器的信号质量评估方法及系统,属于同面阵列电容探测技术领域,解决了现有技术中同面阵列电容传感器的输出信号质量无法有效评估的问题。本发明的同面阵列电容传感器的信号质量评估方法,包括如下步骤:根据电容测量仪器的最小可检测值和目标同面阵列电容传感器的阵列输出信号确定目标同面阵列电容传感器中的有效电极对的数量和无效电极对的数量;根据有效电极对的数量和无效电极对的数量计算目标同面阵列电容传感器的电极利用率;根据电极利用率评估目标同面阵列电容传感器的阵列输出信号的质量。本发明中将电极利用率作为评价指标,实现了对目标同面阵列电容传感器的阵列输出信号质量的有效评估。
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