- 专利标题: 一种在基体材料上制备超高温陶瓷防护层的方法及由此制得的陶瓷基复合材料
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申请号: CN202310157800.3申请日: 2023-02-23
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公开(公告)号: CN116217272B公开(公告)日: 2024-05-03
- 发明人: 陈昊然 , 张宝鹏 , 杨良伟 , 宋环君 , 冯士杰 , 杨彤 , 杨小健 , 刘伟 , 于新民 , 刘俊鹏 , 孙同臣
- 申请人: 航天特种材料及工艺技术研究所
- 申请人地址: 北京市丰台区云岗北里40号院
- 专利权人: 航天特种材料及工艺技术研究所
- 当前专利权人: 航天特种材料及工艺技术研究所
- 当前专利权人地址: 北京市丰台区云岗北里40号院
- 代理机构: 北京格允知识产权代理有限公司
- 代理商 刘晓
- 主分类号: C04B41/89
- IPC分类号: C04B41/89
摘要:
本发明涉及一种在基体材料上制备超高温陶瓷防护层的方法及由此制得的陶瓷基复合材料;所述方法包括如下步骤:(1)在真空环境下,通入氢气对基体材料进行高温处理,得到经高温处理的基体材料;(2)以超高温陶瓷作为靶材,在真空环境下通过脉冲激光沉积法在经高温处理的基体材料的表面进行沉积,由此制得超高温陶瓷防护层;在进行沉积的同时,通入碳源气体进行高温退火。本发明制备的超高温防护层更有利于提升陶瓷基复合材料的耐高温性能、高温力学性能以及抗氧化性能。
公开/授权文献
- CN116217272A 一种在基体材料上制备超高温陶瓷防护层的方法及由此制得的陶瓷基复合材料 公开/授权日:2023-06-06