发明授权
- 专利标题： 一种一/二价选择性阴离子膜的制备方法
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申请号： CN202310081623.5申请日： 2023-02-08
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公开(公告)号： CN116196768B公开(公告)日： 2024-05-07
- 发明人: 徐铜文 , 葛亮 , 陈乾 , 周越
- 申请人： 中国科学技术大学
- 申请人地址： 安徽省合肥市包河区金寨路96号
- 专利权人： 中国科学技术大学
- 当前专利权人： 中国科学技术大学
- 当前专利权人地址： 安徽省合肥市包河区金寨路96号
- 代理机构： 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司
- 代理商 乔恒婷
- 主分类号： B01D67/00
- IPC分类号： B01D67/00 ; B01D69/12 ; B01D61/42 ; B01D61/48 ; B01D71/72 ; C02F1/469
摘要：
本发明公开了一种一/二价选择性阴离子膜的制备方法，将无醚聚合物PAB作为具有一/二价选择性阴离子膜制备的前驱体，利用氢氧化钠溶液进行浸泡处理以实现质子的定量脱除；随后将PAB与同时具有乙烯基及卤素的小分子单体以及卤代烷进行季铵化反应，制备得到膜液，进而交联成膜，得到一/二价选择性阴离子膜。本发明获得的一/二价选择性阴离子膜具有更长的寿命，更低的能耗以及更好的稳定性，同时还具有极高的离子通量。
公开/授权文献
- CN116196768A 一种一/二价选择性阴离子膜的制备方法 公开/授权日：2023-06-02
