发明公开
CN116137262A 半导体装置及其制造方法
审中-实审
- 专利标题: 半导体装置及其制造方法
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申请号: CN202211311700.3申请日: 2022-10-25
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公开(公告)号: CN116137262A公开(公告)日: 2023-05-19
- 发明人: 鹤冈辽太郎
- 申请人: 富士电机株式会社
- 申请人地址: 日本神奈川县
- 专利权人: 富士电机株式会社
- 当前专利权人: 富士电机株式会社
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县
- 代理机构: 北京林达刘知识产权代理事务所
- 代理商 刘新宇
- 优先权: 2021-186511 20211116 JP
- 主分类号: H01L23/492
- IPC分类号: H01L23/492 ; H01L23/498 ; H01L21/60
摘要:
本发明提供一种半导体装置及其制造方法,该半导体装置能够防止在将片状的烧结材料层转印于半导体芯片时的烧结材料层的弯曲形状所引起的烧结材料层的接合强度的下降。具备:半导体芯片(3);烧结材料层(2),其与半导体芯片(3)的下表面接合,该烧结材料层(2)的厚度(t1)随着接近半导体芯片(3)的外周而变薄;以及导电板(11),其具有与半导体芯片(3)的下表面相向的主表面,在该主表面设置有与烧结材料层(2)接触的凹部(11a),该凹部(11a)的深度(d1)随着接近半导体芯片(3)的外周而变浅。
IPC分类: