发明公开
- 专利标题： 半导体装置及半导体装置的制造方法
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申请号： CN202211412738.X申请日： 2022-11-11
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公开(公告)号： CN116137260A公开(公告)日： 2023-05-19
- 发明人: 仓永诚也 , 森下幸纮
- 申请人： 三菱电机株式会社
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 三菱电机株式会社
- 当前专利权人： 三菱电机株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- 代理商 何立波; 张天舒
- 优先权： 2021-187610 20211118 JP
- 主分类号： H01L23/488
- IPC分类号： H01L23/488 ; H01L21/60
摘要：
涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。目的在于提供能够抑制从半导体元件的下侧喷出的焊料附着于半导体装置内的其它部件，并且抑制半导体装置的制造成本增加的技术。半导体装置具有绝缘基板(4)和半导体元件(6)。绝缘基板(4)具有绝缘层(2)和在绝缘层(2)的表面设置的表面电路图案(3a)。半导体元件(6)经由焊料(5a)而与表面电路图案(3a)的表面的搭载部(7)接合。在包含搭载部(7)的一部分在内的区域设置有槽部(8)。
IPC分类:
