• 专利标题: 一种适用于宽温度范围的双电压磁性随机存储器字线驱动电路
  • 申请号: CN202310146064.1
    申请日: 2023-02-22
  • 公开(公告)号: CN116137163A
    公开(公告)日: 2023-05-19
  • 发明人: 蔡浩付嘉伟郭亚楠
  • 申请人: 东南大学
  • 申请人地址: 江苏省南京市江宁区东南大学路2号
  • 专利权人: 东南大学
  • 当前专利权人: 东南大学
  • 当前专利权人地址: 江苏省南京市江宁区东南大学路2号
  • 代理机构: 南京瑞弘专利商标事务所
  • 代理商 沈廉
  • 主分类号: G11C11/16
  • IPC分类号: G11C11/16
一种适用于宽温度范围的双电压磁性随机存储器字线驱动电路
摘要:
本发明公开了一种适用于宽温度范围的双电压磁性随机存储器字线驱动电路,包括控制电路、字线译码电路、字线电平转换电路以及字线电压选择电路。电路采用双电源电压,控制电路和字线译码电路工作在低电压域,字线电平转换电路和字线电压选择电路工作在高电压域。根据所需的读写操作输出不同电压作为字线电压,当进行读操作时选择低电压作为字线电压,而进行写操作时选择高电压作为字线电压。本发明采用双电压域的晶体管,可以有效保障整个电路工作在双电源电压下。字线电压选择电路中传输门也必须使用高电压控制,防止读写操作时高电压使得传输门无法关断。本发明有效保证宽温度范围下MRAM写良率,适用于有宽温度范围要求的MRAM存储阵列。
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