- 专利标题: 一种全狭缝涂布大面积钙钛矿太阳电池的制备方法
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申请号: CN202210480076.3申请日: 2022-05-05
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公开(公告)号: CN115915875B公开(公告)日: 2023-08-29
- 发明人: 张静全 , 郭强 , 郝霞 , 赵德威 , 武莉莉
- 申请人: 四川大学
- 申请人地址: 四川省成都市武侯区一环路南一段24号
- 专利权人: 四川大学
- 当前专利权人: 四川大学
- 当前专利权人地址: 四川省成都市武侯区一环路南一段24号
- 代理机构: 北京睿智保诚专利代理事务所
- 代理商 周新楣
- 主分类号: H10K71/12
- IPC分类号: H10K71/12 ; H10K71/40 ; H10K30/10 ; H10K30/50 ; B05D1/26 ; B05D3/02 ; B05D3/04 ; B05D3/06 ; B05D7/00 ; C03C17/34 ; C03C23/00
摘要:
本发明公开了一种全狭缝涂布大面积钙钛矿太阳电池的制备方法,属于太阳电池技术领域,制备方法的具体步骤为:衬底表面活化以及真空辅助狭缝涂布技术制备各功能层。通过采用紫外(UV)—臭氧或者氧等离子体处理,使FTO玻璃基底表面活化,利于各功能层前驱体的涂敷;通过采用多段式GAP涂敷,可以得到更加均匀完整的薄膜;采用真空辅助狭缝涂布技术,在10S内构造温和真空,在均匀成核和结晶失控之前去除新沉积的前驱体湿膜的多余溶剂,从而稳定中间相。全程主要部分采用狭缝涂布技术,涂敷成本低、工艺简单,器件效率稳定性好且展现出很好的再现性。
公开/授权文献
- CN115915875A 一种全狭缝涂布大面积钙钛矿太阳电池的制备方法 公开/授权日:2023-04-04