本发明属于钙钛矿太阳能电池技术领域，公开了一种有机硅掺杂空穴传输层及钙钛矿太阳能电池制备方法，将一定量的spiro‑OMeTAD与Li‑TFSI、杂环有机硅分子共同溶于氯苯得到spiro‑OMeTAD溶液，将spiro‑OMeTAD溶液旋涂在基底上，待旋涂结束后，晾干得到有机硅掺杂的spiro‑OMeTAD空穴传输层。本发明创新地采用杂环有机硅分子代替tBP作为空穴掺杂剂以抑制spiro‑OMeTAD和Li‑TFSI相分离，改善spiro‑OMeTAD空穴传输层质量，并进一步组装稳定高效n‑i‑p型钙钛矿太阳能电池。