发明授权
- 专利标题: 一种氮化镓射频开关结构和通信基站
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申请号: CN202211444138.1申请日: 2022-11-18
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公开(公告)号: CN115865122B公开(公告)日: 2023-08-29
- 发明人: 闫伟 , 吕关胜 , 黄飞
- 申请人: 优镓科技(苏州)有限公司
- 申请人地址: 江苏省苏州市高新区金山东路78号2幢Z104室
- 专利权人: 优镓科技(苏州)有限公司
- 当前专利权人: 优镓科技(苏州)有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省苏州市高新区金山东路78号2幢Z104室
- 代理机构: 泰和泰律师事务所
- 代理商 张芳
- 主分类号: H04B1/44
- IPC分类号: H04B1/44 ; H04W88/08 ; H03K17/687 ; H03K17/14
摘要:
本发明公开一种氮化镓射频开关结构和通信基站,其中开关结构包括至少两路开关通路,开关通路包括串联晶体管单元和并联晶体管单元,串联晶体管单元与并联晶体管单元串联,连接点同时连接射频端口,串联晶体管单元和并联晶体管单元分别通过各自的栅极供电,串联晶体管单元和并联晶体管单元的栅极分别设有偏置电阻,在并联晶体管单元与射频端口相连的晶体管栅极设置与偏置电阻并联的偏置二极管组件,在偏置二极管组件负极串联偏置电容,偏置电容另一端接地。本发明的这种偏置元件组合降低了射频开关的损耗,同时不会引入很多的额外芯片面积。
公开/授权文献
- CN115865122A 一种氮化镓射频开关结构和通信基站 公开/授权日:2023-03-28