发明公开
- 专利标题: 一种HfC-SiC复相陶瓷基复合材料及其制备方法
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申请号: CN202211544338.4申请日: 2022-12-04
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公开(公告)号: CN115849910A公开(公告)日: 2023-03-28
- 发明人: 梅敏 , 李军平 , 房金铭 , 孙新 , 李钰梅 , 李俊宁 , 王金明 , 耿琼 , 逄锦程 , 胡继东
- 申请人: 航天材料及工艺研究所
- 申请人地址: 北京市丰台区南大红门路1号
- 专利权人: 航天材料及工艺研究所
- 当前专利权人: 航天材料及工艺研究所
- 当前专利权人地址: 北京市丰台区南大红门路1号
- 主分类号: C04B35/56
- IPC分类号: C04B35/56 ; C04B35/80 ; C04B35/81 ; C04B35/622 ; C04B35/64
摘要:
本发明公开了一种HfC‑SiC复相陶瓷基复合材料及其制备方法。本发明是以碳纤维编织物为增强体,采用无氧型液态HfC前驱体与SiC前驱体复配制得HfC‑SiC复相陶瓷前驱体,通过PIP工艺制备出HfC‑SiC复相陶瓷基复合材料。本发明的优点在于:制备的HfC‑SiC复相陶瓷前驱体具有陶瓷产率高、陶瓷组元比例可调控,基体中的部分SiC陶瓷组元以晶须的形式存在,可大幅提高材料的力学性能;同时,前驱体陶瓷产率的提高可大幅缩短复合材料的制备周期,进而降低碳纤维在高温裂解过程中的损伤程度,制得的HfC‑SiC复相陶瓷基复合材料具有优异的力学及抗氧化性能。
IPC分类: