3D堆叠的半导体器件、3D存储器及其制备方法、电子设备，所述3D存储器包括：多层沿垂直于衬底的方向堆叠的存储单元，字线，其中，所述字线沿着垂直于所述衬底的方向延伸且贯穿不同层的所述存储单元；所述存储单元包括：晶体管，所述晶体管包括第一电极、第二电极、沿垂直于所述衬底的方向延伸的栅电极，环绕所述栅电极且与所述栅电极相绝缘的半导体层；其中，所述第一电极和所述第二电极之间的沟道为水平沟道；至少部分相邻层的所述存储单元的所述晶体管的半导体层在垂直于所述衬底的方向上间隔设置；本实施例提供的方案，层间无半导体层，可以减轻或去除层间的寄生电容，增强器件稳定性。