半导体器件包括半导体管芯和形成在半导体管芯上方的集成电容器。集成电容器配置为接收高压信号。在半导体管芯中形成跨阻抗放大器。雪崩光电二极管设置在半导体管芯上方或邻近处。集成电容器耦合在雪崩光电二极管和地节点之间。电阻器耦合在高压输入和雪崩光电二极管之间。电阻器是在半导体管芯上方形成的集成无源器件(IPD)。集成电容器的第一端子耦合到地电压节点。集成电容器的第二端子耦合到大于20伏的电压。在一个实施例中，集成电容器包括多个交叉指状物。在另一个实施例中，集成电容器包括多个垂直对齐的板。