本发明属于半导体技术领域，具体的说是一种MOSFET制备的热氧化生长工艺及装置，包括氧化舱体，所述氧化舱体顶面安装有观察窗，所述氧化舱体内部设置有安装架，所述安装架与MOSFET的尺寸相适配，所述安装架外部安装有翻转组件，所述翻转组件用以带动安装架进行翻面，所述安装架外部安装有夹持组件，所述夹持组件用以对MOSFET限位防止其在翻转的过程中掉落；通过启动翻转组件，使其运行带动安装架进行转动，使得MOSFET原料的另一面正对热氧组件的排气端，从而使得MOSFET原料得以双面均匀与氧气接触，从而便于氧化工作的进行与氧化反应的均匀性，提高产品生产质量，而在翻转的过程中，通过夹持组件的设置可以有效的避免MOSFET原料发生掉落的情况。