Invention Publication
- Patent Title: 绝缘子污秽状态的多波段光学评估方法
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Application No.: CN202211314962.5Application Date: 2022-10-25
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Publication No.: CN115829931APublication Date: 2023-03-21
- Inventor: 任明 , 李乾宇 , 夏昌杰 , 董明
- Applicant: 西安交通大学
- Applicant Address: 陕西省西安市咸宁西路28号
- Assignee: 西安交通大学
- Current Assignee: 西安交通大学
- Current Assignee Address: 陕西省西安市咸宁西路28号
- Agency: 北京中济纬天专利代理有限公司
- Agent 覃婧婵
- Main IPC: G06T7/00
- IPC: G06T7/00 ; G06V10/764

Abstract:
一种绝缘子污秽状态的多波段光学评估方法,开启光源并根据待评估的绝缘子表面光反射情况调节光照强度和角度,平行光到达待评估绝缘子表面并产生反射光,利用多波段图像采集模块采集绝缘子表面反射光的多波段图像像素点(x,y)亮度值,构建污秽状态评估所需特征向量;构建绝缘子污秽光谱信息关联数据库,依靠数据库建立基于随机漫步搜寻的绝缘子污秽状态评估分类模型;对于未知污秽程度的待评估绝缘子,获得其在测量空间坐标范围内所有坐标点的污秽状态特征向量构成样本集,利用当前性能最优的分类模型对该样本集进行分类预测,利用评估结果可视化模块将污秽程度预测值空间矩阵通过伪彩色的方式进行图像重构,可视化绝缘子污秽状态评估结果。
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