主动元件及显示装置
摘要:
本发明公开一种主动元件及显示装置,其中该主动元件包括基板、底栅极、第一栅介电层、半导体结构、第二栅介电层、顶栅极、漏极以及源极。第一栅介电层位于底栅极上。半导体结构位于第一栅介电层上,且包括漏极掺杂区、漏极轻掺杂区、沟道区以及源极掺杂区。漏极轻掺杂区直接连接于漏极掺杂区以及沟道区之间。第二栅介电层位于半导体结构上。顶栅极位于第二栅介电层上。底栅极在基板的顶面的法线方向上至少部分重叠于漏极轻掺杂区。底栅极在法线方向上不重叠于顶栅极。底栅极与顶栅极分别电连接至不同的信号源。
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件(使用半导体器件的测量入G01;一般电阻器入H01C;磁体、电感器、变压器入H01F;一般电容器入H01G;电解型器件入H01G9/00;电池组、蓄电池入H01M;波导管、谐振器或波导型线路入H01P;线路连接器、汇流器入H01R;受激发射器件入H01S;机电谐振器入H03H;扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R;一般电光源入H05B;印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K;在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类)
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件(H01L31/00至H01L47/00,H01L51/05优先;除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00;由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00)
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的(H01L29/96优先)
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
H01L29/786 ......薄膜晶体管
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