发明授权
- 专利标题: 一种降低硅片损伤的硅舟
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申请号: CN202211432870.7申请日: 2022-11-16
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公开(公告)号: CN115662928B公开(公告)日: 2023-08-29
- 发明人: 范明明 , 祝建敏 , 李长苏
- 申请人: 杭州盾源聚芯半导体科技有限公司
- 申请人地址: 浙江省杭州市滨江区滨康路668号C幢
- 专利权人: 杭州盾源聚芯半导体科技有限公司
- 当前专利权人: 杭州盾源聚芯半导体科技有限公司
- 当前专利权人地址: 浙江省杭州市滨江区滨康路668号C幢
- 代理机构: 杭州信与义专利代理有限公司
- 代理商 蒋亚兵
- 主分类号: H01L21/673
- IPC分类号: H01L21/673
摘要:
本发明涉及硅舟领域,特别地,涉及一种降低硅片损伤的硅舟,包括平行且对向设置的法兰和天板,所述法兰和天板之间设有沟棒,所述沟棒的内侧设有用于承托硅片的沟齿;所述沟棒至少设有三根,包括两根前沟棒和一根后沟棒,所述前沟棒的截面形状为"7"字形,所述前沟棒上的沟齿作为"7"字形的上半部分,所述前沟棒本体作为"7"字形的下半部分;三根所述沟棒上的相应沟齿在同一平面形成硅片容置槽,两根前沟棒本体之间的最短连线长度大于硅片的直径,两根前沟棒的沟齿之间的最短连线长度小于硅片的直径;本发明目的是克服现有技术的不足而提供一种降低硅片损伤的硅舟,可缩小硅舟的开口处两沟棒对硅片的支撑点之间的间距,进而减小硅片外圈在高温下的坍塌形变量。
公开/授权文献
- CN115662928A 一种降低硅片损伤的硅舟 公开/授权日:2023-01-31
IPC分类: